CoolMOS是英飞凌注册商标的矽基板的功率元件，因为比较起传统的MOS功率元件，CoolMOS具有较低的导通电阻，所以在做电源转换上有着较高的转换效率，也因此比较不发热，故称其为Cool。
除了CoolMOS之外，英飞凌最近也一连串推出了CoolGaN以及 CoolSiC，第三代半导体的功率元件，并完成商标的注册，同样地彰显其较不发热的特性。
CoolMOS事实上就是一般通称的Superjunction MOS(大陆将其翻译为超结，结就是junction的意思)。功率元件在特性上有两项重要的指标，其一是在元件导通时的电阻，另一项就是元件在逆向偏压时，最大的崩溃电压。
导通电阻越低，代表元件的工作效率越好；而崩溃电压越高，则元件可以操作在更高的偏压之下，在现有的电力系统，当然是希望操作电压越高越好，如此可以减低系统的负载电流。
但是在实际功率元件的操作上，这两项指标是互为抵触的，也就是想要降低元件的导通电阻，所付出的代价就是元件的崩溃电压会降低，而电阻R是崩溃电压V的2.5次方。换言之，想要增加一倍的崩溃电压，导通电阻会增加约4.5倍。
功率元件的导通电阻及崩溃电压，系决定于功率元件内部的drift region(漂移区)。漂移区越长，则在逆偏时能承受越高的电压，但在顺偏导通时却会造成较高的电阻。
在一般的功率元件，P-N的接面都是存在于水平的方向，而电流是重质流动的。因此当外加偏压逆偏时，电场是分布于元件垂直的方向，而此内在的电场会随着漂移区的距离越远离而下降。
至于英飞凌的CoolSiC，其元件结构事实上就是trench(沟槽式) MOS，这在矽基板的MOS上已大量地被使用，尤其是降低其元件的导通电阻。但在SiC基板上的应用，仍需克服诸多在元件制作上的挑战，尤其是闸极(gate)氧化层可靠度的验证。
二十多年前当我在大学教书时，邀请了陈院士来台湾讲授半导体功率元件，这是他第一次来台。他一抵达就表达希望能去慈湖蒋公陵寝谒陵，原来在抗战时陈院士在重庆念小学，当时蒋公曾担任过学校的校长，因此对于蒋公有着深层的感念。
曾任中央大学电机系教授及系主任，后担任工研院电子光电所副所长及所长，2013年起投身产业界，曾担任汉民科技策略长、汉磊科技总经理及汉磊投资控股公司CEO。
