D Book
｜
从功率SiC基板市场领头羊到声请破产 Wolfspeed面临三大挑战
 | SiC功率IDM布局G2供应链 欧系较美日系积极 |
| SiC与GaN IDM扩大布局欧美与星马印 降低地缘政治压力 |
中国SiC自主化已有明显成效 然海外扩张仍须面临欧美政策挑战
| SiC功率IDM布局G2供应链 欧系较美日系积极 |
| GaN市场年增率突破4成 将与SiC共存进入高效供电时代 |
| GaN市场年增率突破4成 将与SiC共存进入高效供电时代 |
| 中国功率IDM扩大布局SiC与GaN 满足内需商机并应对地缘政治压力 |
1H25台系GaAs代工业受智能手机出货成长、苹果PA供应商转单 有望增添营运动能
| 手机PA材料以GaAs为首选 2023年下半PA出货有望回稳 |
| 1H23全球GaAs代工三雄营收年减已见缓和 |
| 中国功率IDM扩大布局SiC与GaN 满足内需商机并应对地缘政治压力 |
| SiC与GaN IDM扩大布局欧美与星马印 降低地缘政治压力 |
数据中心CPO趋势将带动InP需求增温 手机通讯需求不明恐拖累GaAs
| 雷射元件于数据中心应用朝高传输速率发展 与矽光子芯片整合将为趋势 |
| 2024年GaAs占PA出货量逾6成 物联网及手机应用为主要推力 |
雷射元件于数据中心应用朝高传输速率发展 与矽光子芯片整合将为趋势
| 光通讯模块构建类型众多 InP有效提升数据传输距离且降低损耗 |
氮化镓用于Micro LED与HEMT具备庞大商机 跨域合作并朝矽基开发将可改善良率并扩大应用
| 于应用领域各据一方 GaN功率产业两派竞局逐步成形 |
| 长晶及磊晶技术升级将扩大GaN功率及通讯半导体应用范围 |
| 耐高功率兼具高能量转换效率 SiC功率元件将瞄准充电桩和太阳能发电市场 |
| 中系SiC基板业者受政策与内需支持续扩大布局 电动车厂亦跨足SiC元件业务 |
碳化矽功率元件朝超接合面结构开发 MOSFET耐压将提升至10,000V
| 碳化矽功率元件朝超接合面结构开发 MOSFET耐压将提升至10,000V |
| 耐高功率兼具高能量转换效率 SiC功率元件将瞄准充电桩和太阳能发电市场 |
