美科学家以金属二硫属化物发展ReRAM
- 涂翠珊/综合报导
由美国国家标准与技术研究院(NIST)与普渡大学(Purdue University)科学家组成的研究团队,利用金属二硫属化物(metal dichalcogenide)原子薄层产生的相变化,发展出新型态的变电阻式存储器(ReRAM)技术。
据A...
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