传三星开发独家MUF材料 用于系统IC而非HBM
- 范维君／综合报导
传三星电子（Samsung Electronics）正在将半导体垂直堆叠的接合材料进行「二元化」，其中高带宽存储器（HBM）将维持非导电薄膜（NCF）材料，系统半导体则计划导入底部填胶膜（Molded Underfill；MUF）材料。
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