罗姆GaN、SiC双管齐下 打入基站、激光雷达等供应链
- 何致中／台北
具有高功率密度特色的宽能隙(WBG)第三代半导体如氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)成为全球大厂鸭子划水的潜力新蓝海，日系IDM功率元件大厂罗姆半导体(Rohm)持续祭出双管齐下的发展策略。
近期罗姆宣布，GaN元件升级新产品配合兼顾高散...
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