英开发功耗仅需DRAM 1%的非挥发性记体体 智能应用 影音
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英开发功耗仅需DRAM 1%的非挥发性记体体

  • 萧菁菁综合外电

英国兰卡斯特大学(University of Lancaster)开发出一种新型非挥发性存储器,速度能与DRAM并驾齐驱,但使用的能源仅为NAND Flash或DRAM存储器的1%。新开发的存储器名为「UK III-V」存储器,在20纳米制程打造的闸极上仅需10...

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