新式储存结构加持 MRAM可望取代SRAM
- 刘慧兰／综合报导
硅谷新创公司Spin Transfer Technologies最近发表一款自旋进动电流(Precessional Spin Current；PSC)形式的存储器结构，可增强磁阻式随机动态存储器(MRAM)的效能，进而取代SRAM或DRAM存储器。
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