NIST以短脉冲克服RRAM技术障碍
- 陈端武／综合报导
众所周知，非挥发性存储器(Nonvolatile memory)是U盘中快闪存储器(flash memory)的基础，但快闪技术已达尺寸和性能上限。而最可能的替代品电阻式存储器(Resistive Random Access Memory；RRAM)仍有不少技术障碍尚...
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