长鑫存储专利布局轮廓浮现 下半年待市场复苏冲刺
- 韩青秀／台北
国内大陆存储器产业发展脚步迅速，长江存储迈入128层NAND Flash制程，DRAM厂长鑫存储2019年启动19纳米量产后，持续强化技术授权及专利实力，据悉，其技术布局已完成初步轮廓，2020年除了积极提升19纳米良率，17纳米制程开发进度也照原定计划...
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