Everspin携手GF MRAM开发扩大到12nm
- 陈端武／综合外电
磁阻式存储器(MRAM)大厂Everspin于日前宣布修订与格芯(Globalfoundries)的STT-MRAM联合开发协议。Everspin和GF现为40nm、28nm和22nm STT-MRAM的开发和制造夥伴，进一步更新协议将在12nm FinFE...
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