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Everspin携手GF MRAM开发扩大到12nm

  • 陈端武/综合外电

磁阻式存储器(MRAM)大厂Everspin于日前宣布修订与格芯(Globalfoundries)的STT-MRAM联合开发协议。Everspin和GF现为40nm、28nm和22nm STT-MRAM的开发和...

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