全球NAND原厂产能战火未停歇 过半产能推进至3D NAND制程 2019年旗舰手机规格迈向512GB
- 韩青秀／深圳
为了填补先前NAND Flash供给短缺，全球主要NAND大厂加大3D NAND投产计划，2018年下半起，部分原厂已转为96层TLC或者64层QLC，预计大规模量产将集中于2019年上半，量产容量将进入256GB或者512GB起跳，根据估计，包...
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