Research Insight：英特尔、台积电拿下补助总额近4成　助美建立先进制程优势

美国商务部2024年4月8日宣布，将提供台积电66亿美元投资补助及上限50亿美元的贷款，而台积电也同步发布扩大在美投资计划。事实上，台积电所获得美国《芯片与科学法》( CHIPS and Science Act）补助，为半导体投资补贴中仅次于英特尔（Intel）的第二大笔款项。

DIGITIMES Research分析认为，虽补助款少于英特尔，亚利桑那州新厂导入先进制程时点也晚于英特尔，但台积电凭藉在先进制程大量的生产经验，仍可望保持良好的竞争优势。

三周前，美国商务部于3月18日宣布提供英特尔85亿美元补助及110亿美元的优惠贷款后，英特尔成为美国芯片与科学法案补贴的最大赢家。此前，格罗方德（GlobalFoundries）、Microchip等美国半导体业者虽也获得芯片法补贴，但与英特尔获得的规模相去甚远。

DIGITIMES Research观察，英特尔、台积电陆续获得美国政府补助，两案补贴合计达151亿美元，占芯片法案对半导体制造补贴的390亿美元近4成，凸显美国意图强化先进半导体制造能力的决心；而台积电与英特尔当前的投资计划，将有助美国建立半导体先进制程生产能力。

目前美国商务部尚未公布对三星电子（Samsung Electronics）的投资补贴，以及三星未来宣布相应的投资计划，皆是后续可关注的重点。

美国商务部宣布提供高额补助后，台积电也同步承诺将在亚利桑那州投资兴建第三座晶圆厂，以及更新第二座晶圆厂投资计划，使台积电亚利桑那州总资本支出新增逾250亿美元，累计将超过650亿美元。

DIGITIMES Research分析，台积电在考量美国半导体建厂时程、员工招募与训练、客户制程需求等因素下，台积电亚利桑那州Fab 21 P1原规划量产技术已由5纳米制程转为4纳米，量产时程则由2024年下半递延至2025年上半。

而原先规划2026年量产3纳米制程的Fab 21 P2，因应美国客户需求，将增加生产更先进的2纳米制程，量产时程则预定在2028年。由于台积电规划2025年在新竹宝山Fab 20量产2纳米制程，因此在2028年将2纳米制程导入Fab 21 P2，该厂制程顺利升级机率相当高。

至于亚利桑那州第三座晶圆厂Fab 21 P3将在2030年以前完工，届时将导入2纳米及以下先进制程。

DIGITIMES Research分析认为，台积电2纳米制程于2025年进入量产阶段，而1.4纳米制程则可望在2027~2028年在台湾量产，因此只要在厂务建设、机台进驻、人员招募与训练顺利，Fab 21 P3亦可望在2030年以前顺利导入1.4纳米制程。

根据英特尔IDM 2.0战略规划，Intel 3制程已在2023年下半完成开发，2024年将进入量产阶段，因此成为美国率先量产3纳米制程的业者；至于Intel 18A制程，预估将在2025年进入量产阶段，使英特尔成为美国本土首家生产2纳米以下制程的半导体业者。

DIGITIMES Research观察，英特尔在5纳米以下先进制程量产时点将早于台积电Fab 21，甚至英特尔可望在2030年以前在美国量产Intel 10A制程，相似的先进制程量产时点皆可望早于台积电Fab 21，将可提早为美国建立先进制程生产能力。

然考量台积电在7纳米以下先进制程生产经验叠加仍占优势，客户高度客制化产品经验丰富，在美国市场仍可望持续保有竞争力，全球市场竞争力亦可望维系。

责任编辑：朱原弘