可解释的人工智能

从几年前人工智能热起来后，可解释(explainable)一词瞬间变成显学。机器学习在许多领域取得不错的成绩，表现要再上层楼、消除错误、避免在关键时刻下错误的指令，就要理解机器学习的学习过程、建立模型以及下指令的机制。

材料科学与工程的典范移转—兼论政府政策与内部研发策略

2011年美国国家科学技术委员会与科学技术办公室共同发布了材料基因图谱计画(Materials Genome Initiative；MGI)，目的在于加速材料科学与工程的发展、降低开发成本。

延长摩尔定律的二维材料发展现况与挑战

去年3月ASML在其投资者会议发表了一份半导体产业逻辑与存储器的技术进程，预计在2022年半导体业界将到达3nm的制程。之后呢？2nm要到2030年，一个以往的典型一个世代进程居然要花8年之久！

具潜力的纳米金属导线材料：砷化铌

这几年纳米材料的进展在半导体及相关领域迅速开展，速度令人眩目惊心。先是去年下半年发现拓朴绝缘体(topological insulator)锑化铋(BiSb)可以用来做为SOT MRAM的磁化翻中转制导线材料，数量级的大幅降低所需电流与功耗、提升写入速度。3月底才于《Nature Materials》[1]发表的砷化铌(NbAs)则对未来半导体深纳米金属联机提供了极有潜力的材料。

SOT MRAM的原理与发展近况(二)

SOT MRAM既然使用了不同于STT MRAM的翻中转制，在元件结构上也自然不同。STT MRAM的读、写电流均直接垂直通过MTJ；而SOT MRAM的读取电流如旧，但写入电流则依靠与自由层平行邻接的材料中流过的电流，带动二者界面上的自旋轨道作用所产生的转矩，用以翻转自由层的磁矩。

SOT MRAM的原理与发展近况(一)

最近pSTT MRAM逐渐在各大代工厂进入量产阶段，初步的工程工作算是一个阶段的完成。有时候pSTT MRAM又叫做第三代MRAM，代与代之间基本上是以翻转磁矩的机制来区分的。

存储器运算的可能趋势

依据von Neumann架构，计算机中存储器和控制单元是分离的，这也是目前计算机及相关的半导体零件制造的指导方针。但是在目前海量资料的处理与储存上，这样的架构对资料的「读取—处理—储存」循环在资料传送速度、功耗上形成重大挑战。特别是存储器本身因写入速度、保留时间等的特性差异，从cache、DRAM、NAND等形成复杂层层相转的存储器体制(memory hierarchy)，让资料的处理循环变得更长、更耗能。

针锋相对　中美科技的对撞点

量子运算能算什么？

去年是量子讯息科学风起云涌的一年。受到之前中国大陆发射墨子卫星、设立量子讯息与量子科技创新研究院、布置京沪量子通讯骨干网络等发展的影响，美、欧、日、韩等国都发布了高层次的国家量子科技政策，而台湾也集成产学、启动了几个大型计画。量子讯息包含了量子通讯和量子运算等领域，量子通讯能保障通讯安全，是国家安全议题。但是量子运算能做什么？这是个基本问题。

5G新纪元不远　标准、规格怎么看？

5G的第一阶段标凖Release 15于2018年6月含SA (standalone)的方案己完整公布，第二阶段的标凖Release 16则将于2020年底公布，5G距完整布建的时间不远了。