SOT MRAM既然使用了不同于STT MRAM的翻转机制，在元件结构上也自然不同。STT MRAM的读、写电流均直接垂直通过MTJ；而SOT MRAM的读取电流如旧，但写入电流则依靠与自由层平行邻接的材料中流过的电流，带动二者界面上的自旋轨道作用所产生的转矩，用以翻转自由层的磁矩。

最近pSTT MRAM逐渐在各大代工厂进入量产阶段，初步的工程工作算是一个阶段的完成。有时候pSTT MRAM又叫做第三代MRAM，代与代之间基本上是以翻转磁矩的机制来区分的。

依据von Neumann架构，计算机中存储器和控制单元是分离的，这也是目前计算机及相关的半导体零件制造的指导方针。但是在目前海量数据的处理与储存上，这样的架构对数据的「读取—处理—储存」循环在数据传送速度、功耗上形成重大挑战。特别是存储器本身因写入速度、保留时间等的特性差异，从cache、DRAM、NAND等形成复杂层层相转的存储器体制(memory hierarchy)，让数据的处理循环变得更长、更耗能。

白宫2月在官网上发布了「America will Dominate the Industries of Future」，由美国科学与技术政策办公室(Office of Science and Technology Policy)发文，最前头引用了川普(Donald Trump)的话，希望透过立法以投资基础架构于先进产业。

去年是量子信息科学风起云涌的一年。受到之前国内大陆发射墨子卫星、设立量子信息与量子科技创新研究院、布置京沪量子通讯骨干网络等发展的影响，美、欧、日、韩等国都发布了高层次的国家量子科技政策，而台湾也整合产学、启动了几个大型计划。量子信息包含了量子通讯和量子运算等领域，量子通讯能保障通讯安全，是国家安全议题。但是量子运算能做什麽？这是个基本问题。

5G的第一阶段标凖Release 15于2018年6月含SA (standalone)的方案己完整公布，第二阶段的标凖Release 16则将于2020年底公布，5G距完整布建的时间不远了。

MIT Technology Review (MIT TR)是MIT所拥有的独立刊物，原先的读者群是尖端科技精英，后来逐渐转向商务人士及一般大众。由于背后有强大的科技谘询团队，杂志中的科技叙述及评论大致八九不离十。时值中美贸易谈判，本期的主题就是「The China Issue」，语带暧昧。

几乎所有的新兴存储器出道时都宣称与CMOS制程兼容，意思是可以做逻辑制程的嵌入式存储器。这意味着开发一种存储器技术可以一鱼两吃，适用于嵌入式和独立式存储器。但是从历史的发展来看，这样的一厢情愿最后很难坚持，像eDRAM几乎很少用过，eFlash最终停留在65nm，很难与逻辑制程一起微缩，而且此时的嵌入式存储器制程与独立式存储器制程早已大相迳庭了！

材料科学的进展对于此时的半导体产业是及时雨，而且从科学变成技术的速度也令人叹为观止。前几年还在《Nature》、《Science》这些顶级科学期刊当成科学新发现的议题，有很多已经至少被展示在纳米级元件的应用。譬如二维材料中的过渡金属二硫属化合物(Transition Metal Dichalcogenide；TMD)半导体，由于其二维维度及材料特性—高电子流动性(mobility)、低漏电流(leakage current)、高可挠性(flexibility)等性质，已被用于nm等级3D电晶级的开发，用做通道(channel)材料。许多伴随二维材料的技术及设备也正在同步开发，常被提到的材料有二硫化钼(MoS2)及二硒化钨(WSe2)。

之前谈过美国、日本、韩国三国的半导体发展策略，12月欧盟会议也做出决议，由法、义、德、英29家公司共同研发半导体5个项目，至2024年止由参与国政府支持17.5亿欧元。