材料科学的进展对于此时的半导体产业是及时雨，而且从科学变成技术的速度也令人叹为观止。前几年还在《Nature》、《Science》这些顶级科学期刊当成科学新发现的议题，有很多已经至少被展示在纳米级元件的应用。譬如二维材料中的过渡金属二硫属化合物(Transition Metal Dichalcogenide；TMD)半导体，由于其二维维度及材料特性—高电子流动性(mobility)、低漏电流(leakage current)、高可挠性(flexibility)等性质，已被用于nm等级3D电晶级的开发，用做通道(channel)材料。许多伴随二维材料的技术及设备也正在同步开发，常被提到的材料有二硫化钼(MoS2)及二硒化钨(WSe2)。

之前谈过美国、日本、韩国三国的半导体发展策略，12月欧盟会议也做出决议，由法、义、德、英29家公司共同研发半导体5个项目，至2024年止由参与国政府支持17.5亿欧元。

国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting；IEDM)有40个议程，除了前文所述4个焦点议程外，有些虽非今年新焦点，但却是还在持续进展的新兴科技issue，其阶段性的进展也很值得关注。

国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting；IEDM)是国际半导体界的盛事，从议程可以一瞥整个半导体产业的未来展望。由于有论文的发表，创新的成分是必要条件。但是新的技术未必能真正被实施，而接近商业化的新兴技术又有公司机密的考量，从IEDM议程与发表论文中也许未必能呈现产业研发的完整风貌，能从其中淬取出什麽端倪，要靠个人的经验来做自由心证。

严格来讲，是存储器(memory)和储存器(storage)。前者是指在运算中的暂存器，譬如SRAM和DRAM；后者是数据永久储存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁带。之所以会有这样复杂的样态，最主要的原因是CPU运算速度与储存器读写速度之间存有巨大落差。所以从CPU与最终储存器之间，必须建立数层的中介存储器来转换，CPU与几个层次的髙速缓存(cache)SRAM整合在一起，然后外接速度较慢、但每位元价格稍便宜的DRAM，最后到速度差几个数量级、但每位元价格最低廉的的SSD，这就是现存所谓的存储器体制(memory hierarchy)。

IEEE和SEMI共同支持的HIR(Heterogeneous Integration Roadmap；异质整合路线图) 的第1个范畴HI for Market Applications中包括6项：Mobile、IoT、 Medical and Health & Wearables、Automotive、High Performance Computing and Data Center以及Aerospace and Defense。这个范畴的纲目本身就引人注目，过去从来没有在技术路线图中去涉及应用的。

半导体之所以为高科技是因为它能不断的创造新经济价值。过去依赖的是摩尔定律此单一因素，现在制程微缩的进程已渐迟缓，产业需新的经济价值创造典范。

当摩尔定律渐趋迟缓时，还能持续不断创造经济价值的方向之一是往三维(3D)制程的方向走。3D的努力最早始于封装：不能整合在同一个芯片上，那麽封装在一起吧！但是也碰到了挑战—连接各层芯片的矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)精度有限，因此也限缩了应用的范围。

功率器件(power device)是一个大的半导体器件族群，从最早的BJT(Bipolar Junction Transistor，双极性接面晶体管)、GTO(Gate Turn-off Thyristor，栅关断闸流体)到现在的Power MOSFET、IGBT(Insolated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)以及正在加温的SiC(Silicon Carbide，碳化矽)与GaN(Gallium Nitride，氮化镓)宽带隙(wide band gap)材质的功率器件都属于此族群。

欧盟量子技术旗舰计划正在维也纳的皇宫举办启动会议，以10亿欧元支持其所精挑细选的20个计划。这是继9月份美国动员全国之力启动量子研发后的另一大手笔。