2017年为4位元3D NAND Flash技术元年 耐久度与传速等课题待克服
4位元(Quadruple Level Cell;QLC) 3D NAND Flash理论上一组Cell可记录16种储存状态(4bits/cell),其储存容量较既有技术更加提升,但存在使用寿命较短、传输速度较慢等问题,尚待演算法设计与控制芯片等技术突破。DIGITIMES Research观察,三星电子...
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