三星考虑以Hafnia Ferroelectrics材料，实现超高层数3D NAND堆叠，因为目前堆叠200~300层3D NAND，面临不少技术难题。
千层NAND不是梦？ 三星联手KAIST开发新铁电材料
三星取得技术突破 3D DRAM可堆叠至16层
抢先SK海力士一步 三星传HBM4将采1c DRAM制造
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