Flash Memory切中移动设备轻薄省电需求

Flash Memory元件外观平整，使用型态与HDD完全不同，数据存取效能佳，亦不用担心功耗与应用环境的震动问题，是具备未来性的新兴储存媒体。Micron

Flash Memory在移动设备平台开发上，近年已经成为重点器件与开发项目，尤其是由iPhone、iPad带起的采行8~64GB水准高内置Flash Memory的应用型态，也连带影响了非Apple阵营产品规划设计的思考方向，也同样采行内建高容量Flash Memory设计逻辑，来因应竞争产品的市场竞争。

Flash Memory的制成品，可以是整机型态的SSD，也可以是移动设备的内置储存装置，尤其在移动电话、平板电脑开始采行大量的装载量，来满足用户需要更多储存照片、影片、音乐的需求。即便Flash Memory早期单价较高于传统硬盘，但在用量持续提高、制程微缩与良率提升的推波助澜下，将Flash Memory的单位容量价格持续压缩。

而Flash Memory的成本，也因为容量持续提升，让Flash Memory的容量转换下来的成本不断攀高，Flash Memory的装载成本已经超越核心处理芯片、电池甚至是机构件，成为左右产品价格的重要关键项目。

观察iPad这类平板电脑，目前主流的装载容量为32GB，而产品最高的Flash Memory容量可达64GB之多，已经相当于一般入门SSD的容量，但其装载在移动设备中所能发挥的效益，几乎可以让移动设备达到接近笔记本电脑的运用弹性。

再来看看Flash Memory的元件特点，Flash Memory是一种储存介质，在储存数据的形式方面有个关键的特性，即可在无电力供应的条件下保存数据。这种特性更适合建构无需外部电力持续刷新储存数据即能进行数据的长期保存，目前已经大量使用在笔记本电脑、导航PND、数码镜头记忆卡、电子字典...等产品；而无需刷新即能长时间保存数据的特性，更迎合了移动设备必须考量节能、减低功耗的设计目标。

Flash Memory为了便于让嵌入式系统或操作系统管理，也是模拟成传统硬盘的磁区概念规划内部储存空间，但毕竟这只是为了无痛转移以HDD换用SSD或 Flash Memory的系统变更，实际上Flash Memory虽模仿了HDD，本质上却有天壤之别。首先，Flash Memory(NAND)的每GB单位成本仍高于HDD，即便目前25nm制程在成本上持续压缩，但实际于终端器件的成本仍不敌HDD的低成本。

Flash Memory与硬盘仍存在许多物理特性的差异，例如：Flash Memory无机械结构，因此不会有运转噪音，同时也不会因为磁碟碟盘高速旋转造成空气摩擦所生成的高温；因为少了读取臂、伺服电路，Flash Memory的设置高度极低，可以视为极为平整的料件组立，但传统硬盘就必须有服务器、读取臂、碟盘等物理材料，造成机构高度空间的限制。

另外，Flash Memory采电子电路读写数据，因此只要碰撞震动不会让Flash Memory颗粒出现锡裂，基本上根本不会出现数据流失，除非IC元件产生的问题，否则，理论上存储的数据不会这麽容易流失，相对的硬盘就显得脆弱许多。

另外，Flash Memory本质上即为存储器芯片，可以视需求组立成各式外型与设计，例如，NAND Flash Memory就可以制程SSD、MMC、SD等产品，但硬盘相对用途与制作品就显得较有限许多。

在3C产品——例如Ultrabook、TabletPC、iPad...等——持续朝极度轻、极度薄的设计方向，这些3C产品势必需装载大量的Flash Memory，Flash Memory的需求还会持续攀升，尤其Flash Memory的稳定性与效能明显优于HDD，甚至连桌上型电脑的储存需求，都预期能再创一波SSD(Flash Memory)的需求高峰。