盛美半导体推出用于功率器件领域的立式炉设备

盛美半导体设备近日宣布其开发的Ultra Fn立式炉设备扩展了合金退火功能，将立式炉平台应用拓展到了功率器件制造领域。随着晶体管厚度变薄，体积变小和速度变快的趋势，该新功能对于满足绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件不断成长的生产要求具有至关重要的作用。

据产业研究公司Mordor Intelligence数据表示，2019年IGBT市场价值为54亿美元，在预测期(2020~2025)中，预计到2025年将达到93.8亿美元，复合年成长率为9.66%。IGBT的广泛应用吸引了许多新公司进入市场。IGBT可驱动或转换多种现代电器中的电能，如炊具，微波炉，电动汽车，火车，变频驱动器，变速冰箱，空调，灯镇流器，市政电力传输系统和身历声系统， 这些都配备了开关放大器。

除了快速的终端市场成长之外，随着芯片技术的发展，对IGBT的制造要求也在提高。当今的IGBT应用，尤其是电动汽车，需要更快捷的开关功能，更高的功率效率和密度。

盛美半导体设备董事长王晖表示，如今的IGBT器件必须比以往更小，更快和更薄。盛美已于2020年早些时候凭藉自己的薄片背面清洗设备进入了该产品类别。基于对功率器件制造的经验和理解，为Ultra Fn开发了合金退火功能。 这将使立式炉产品目标客户从芯片制造领域扩展到现在的功率器件领域。

Ultra Fn立式炉设备定制化的合金退火功能，可在保护性/惰性气体，还原性的气体条件下或低至微托水准的高真空度条件下进行退火制程。依托它在晶圆传输系统、制程管和晶舟的设计，可应用于薄片或Taiko晶圆。该设备可批量处理多达100片12英寸(300毫米)的晶圆。Ultra Fn设备的应用还可扩展到SIN，HTO的低压力化学气相沉积(LPCVD)制程，非掺杂多晶矽和掺杂多晶矽沉积，栅氧化层沉积制程，高达1200度的超高温制程和原子层沉积(ALD)制程。