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华虹第二代90纳米嵌入式闪存制程平台成功量产

  • 李佳玲

全球领先的200mm纯晶圆代工厂华虹半导体有限公司日前宣布其第2代90纳米嵌入式闪存(90nm G2 eFlash)制程平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。

华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存(90nm G1 eFlash)制程技术积累的基础上,于90nm G2 eFlash制程平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸,较第1代减小约25%,为目前全球晶圆代工厂90纳米制程节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外,90nm G2采用了新的Flash IP设计架构,在保证高可靠性(即10万次擦写及25年数据保持能力)的同时,提供了极小面积的低功耗Flash IP。

因此,90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积,从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量,尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品,90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩,使得制造成本更低。

目前,90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产,成功用于大规模生产电信卡芯片,并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示,「第2代的90nm G2 eFlash制程的成功量产,标志著华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一,长期以来凭借著高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂,华虹半导体将坚持深耕,不断优化制程,升级平台,持续领航智能IC卡代工领域,并大力发力物联网、新能源汽车等高成长新兴市场。」



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