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泛铨最新TEM技术 协助客户领先抢得滩头堡

  • 郑斐文

泛铨以最佳的设备与人才,提供高质量的检测服务。

IC产业蓬勃发展,在摩尔定律下,晶圆厂在每个世代的制程竞赛中,持续研发新技术与设计,藉著微缩线宽来降低IC成本及提高效能。泛铨科技面对制程技术与设计不断演变与改良,除了引进最先进的设备,也投入更大的研发能量,克服各种先进制程分析的关卡。

2011年,泛铨领先业界引进当时最先进的Dual Beam FIB-Helios 450S,大幅提升TEM案件样品的制备能力;2013年泛铨引进FEI V400ACE,成功达成20nm IC的电路修补,同时开发出Ag线开盖技术,建立Ag 线封装IC 失效分析能力,这2项新品项服务名称为FIB V400ACE先进制程电路修补及Decapsulation雷射去封胶∕特殊银线处理;2014年再购置台湾第1台UHR SEM,配合特有的蚀刻显像技术,放大倍率可达100万倍,是目前业界最高分辨率的SEM,2014年于UHR SEM加装台湾第一台 150 mm2 EDS SDD传感器, 提高SEM成分分析空间分辨率达10nm等级,此一分析服务新品项名为SEM/EDS(FEI 高解析UHRSEM/EDS)。

泛铨技术长陈荣钦博士表示,进入2017年第4季,泛铨将集成相关成熟的分析工法,以TEM(Si定点)X-S试片制备EUV光阻材料分析、TEM(Si定点)X-S试片制备EUV-10nm超薄试片、TEM(Si定点)X-S试片制备EUV-5nm超薄试片等新的分析技术品项,满足客户质量及效率需求。泛铨持续引进先端设备及投入技术研发,造就了半导体分析技术领先同业的局面。陈荣钦强调,在材料分析业,只要愿意投资,引入先进仪器都不难,但单凭设备无法建立绝对的竞争力;重点是,好的分析设备必须配合优异的试片制备技术,以及拥有正确的资料判读能力,才是决定分析质量的关键,泛铨在这方面一路领先。

EUV光阻是先进制程开发的重要材料之一,材料特性很容易受到制备及观测而改变原始形貌造成误判,泛铨开发一系列低损伤工法,可保护易损伤材料,透过良好的试片制备技术及观测手法,正确地在TEM、 FIB、SEM观测光阻的横截面的形貌,以评估曝光显影状况,或以特殊的高解析SEM手法来观测光阻线之间的曝光显影残留状况。

TEM试片制备厚度是TEM分析能力的重要指标,泛铨具有超薄TEM试片5nm纳米的制备能力。针对大面积观测的试片需求,泛铨也开发出无刀痕离子切割及低温无刀痕离子切割工法来因应,可应用于 3D 封装及含有软性材质的有机面板等分析需求。

泛铨在SEM前制备技术的突破,使得低价SEM影像的表现接近TEM影像,有效降低分析成本提高竞争力,这些技术包含强化NP Junction 接口染色、缺陷染色、有机接口染色及离子束染色等技术,这些新技术可应用在观察半导体掺杂植布深度接口、高压元件及LED 产业缺陷密度计算、有机面板的制程接口等分析需求。



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