泛铨最新TEM技术 协助客户领先抢得滩头堡

泛铨以最佳的设备与人才，提供高品质的检测服务。

IC产业蓬勃发展，在摩尔定律下，晶圆厂在每个时代的制程竞赛中，持续研发新技术与设计，藉着微缩线宽来降低IC成本及提高效能。泛铨科技面对制程技术与设计不断演变与改良，除了引进最先进的设备，也投入更大的研发能量，克服各种先进制程分析的关卡。

2011年，泛铨领先业界引进当时最先进的Dual Beam FIB-Helios 450S，大幅提升TEM案件样品的制备能力；2013年泛铨引进FEI V400ACE，成功达成20nm IC的电路修补，同时开发出Ag线开盖技术，建立Ag 线封装IC 失效分析能力，这2项新品项服务名称为FIB V400ACE先进制程电路修补及Decapsulation雷射去封胶／特殊银线处理；2014年再购置台湾第1台UHR SEM，配合特有的蚀刻显像技术，放大倍率可达100万倍，是目前业界最高分辨率的SEM，2014年于UHR SEM加装台湾第一台 150 mm2 EDS SDD传感器， 提高SEM成分分析空间分辨率达10nm等级，此一分析服务新品项名为SEM/EDS(FEI 高解析UHRSEM/EDS)。

泛铨技术长陈荣钦博士表示，进入2017年第4季，泛铨将整合相关成熟的分析工法，以TEM(Si定点)X-S试片制备EUV光阻材料分析、TEM(Si定点)X-S试片制备EUV-10nm超薄试片、TEM(Si定点)X-S试片制备EUV-5nm超薄试片等新的分析技术品项，满足客户品质及效率需求。泛铨持续引进先端设备及投入技术研发，造就了半导体分析技术领先同业的局面。陈荣钦强调，在材料分析业，只要愿意投资，引入先进仪器都不难，但单凭设备无法建立绝对的竞争力；重点是，好的分析设备必须配合优异的试片制备技术，以及拥有正确的数据判读能力，才是决定分析品质的关键，泛铨在这方面一路领先。

EUV光阻是先进制程开发的重要材料之一，材料特性很容易受到制备及观测而改变原始形貌造成误判，泛铨开发一系列低损伤工法，可保护易损伤材料，透过良好的试片制备技术及观测手法，正确地在TEM、 FIB、SEM观测光阻的横截面的形貌，以评估曝光显影状况，或以特殊的高解析SEM手法来观测光阻线之间的曝光显影残留状况。

TEM试片制备厚度是TEM分析能力的重要指标，泛铨具有超薄TEM试片5nm纳米的制备能力。针对大面积观测的试片需求，泛铨也开发出无刀痕离子切割及低温无刀痕离子切割工法来因应，可应用于 3D 封装及含有软性材质的有机面板等分析需求。

泛铨在SEM前制备技术的突破，使得低价SEM影像的表现接近TEM影像，有效降低分析成本提高竞争力，这些技术包含强化NP Junction 界面染色、缺陷染色、有机界面染色及离子束染色等技术，这些新技术可应用在观察半导体掺杂植布深度界面、高压元件及LED 产业缺陷密度计算、有机面板的制程界面等分析需求。