设计开发、制程设备技术并进 化合物半导体迎来爆发性成长

台湾电子设备协会与化合物半导体业界先进携手解剖化合物半导体最新技术及趋势。台湾电子设备协会

透过宽能隙特性带来高效、高频、高温、高功率密度等优势的新时代半导体，已成为电子产业发展的必然趋势，此技术有望突破传统半导体的性能瓶颈，在新能源、电动车、5G等领域大展身手。为协助台湾产业快速掌握新商机，台湾电子设备协会及台湾大学工学院，于2024年4月25日在台北南港展览馆举办「化合物半导体国际论坛」，邀请产业界指标性专家，深入剖析近期技术发展与趋势。

台湾电子设备协会理事长林士青首先代表该会感谢大家的参与，并感谢台湾大学工学院的协助，让「化合物半导体国际论坛」可以顺利举办。协会与台大工学院已携手合作，三年来的产学研合作将可引领台湾化合物半导体进一步发展，也希望透过此次论坛各国讲师带来的先进专业知识，为台湾储备此领域的未来研究和设备开发能量。

台湾大学工学院／重点科技学院李坤彦教授也表示，台大工学院和电子设备协会已合作三年，希望结合学术和业界能力，在第三代半导体领域持续精进。国立阳明交通大学郭浩中教授则提到，汇集各国专家的「化合物半导体国际论坛」是国内半导体产业的技术盛会，此次论坛将可为国内相关领域发展提供技术能量，掌握新时代化合物半导体商机。

2024化合物半导体国际论坛中，罗姆半导体、Pentamaster、SiCEV、Coherent、英飞凌、Yole Intelligence、Novel Crystal、英商牛津仪器、日新离子机器、苏州联讯仪器、KusasSemi等各国大厂专家，针对新时代化合物半导体技术趋势提供。

从论坛演讲可看出，SiC与GaN等宽能隙半导体凭藉其优异的性能，在高功率、高频率应用中展现出巨大潜力，此外超宽能隙半导体如Ga2O3也备受关注。未来，Si、GaN、SiC等多种半导体材料可能混合应用，发挥各自优势。SiC产业预计在2023～2029年间，以25%的年复合成长率快速增长，国内的产能占比将大幅提升，在应用方面，新能源、智能电网、电动车、3D传感、光通讯、RF电子将是化合物半导体带来重点应用领域。

设计开发部分，模拟设计、晶圆制造、封装测试等环节的技术创新与优化，有助于提升新时代化合物半导体的性能、良率并控制成本。目前业界仍需克服大电流、高压、高频、累积崩溃等测试挑战，以提高模块良率。对于新时代化合物半导体的开发设备，EDA、离子注入机、测试系统等配套设施的升级迭代，将有助于产业链的协同发展。

整体而言，新时代化合物半导体的独特性能优势，将在未来电子产业发展中将扮演关键角色，产学研界除了持续创新技术、扩张产能、拓展应用外，产业链中各厂商还需跨域协同合作，方能推动产业高速发展，并掌握新时代化合物半导体商机。