三星拟在2021年量产3纳米GAAFET芯片 2019年下半7纳米EUV芯片
- 陈端武／综合报导
三星电子(Samsung Electronics)拟于2021年开始量产3nm环绕式闸极场效晶体管(GAAFET)芯片，并将在2019年下半开始生产7纳米EUV芯片。
根据tom’s Hardware报导，GAA晶体管是FET晶体管，在...
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