意法半导体1350V新系列IGBT晶体管可提升耐受性和效能

意法半导体1350V新系列IGBT晶体管可提升耐受性和效能。意法半导体

意法半导体（ST；纽约证券交易所代码：STM）新系列IGBT晶体管将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175°C，更高的额定值确保晶体管在所有运作条件下具有更大的设计余量、耐受效能和更长久的可靠性。

新推出之STPOWER IH2系列IGBT还提升了功率转换效能，相关参数出色，例如，低饱和导通电压 Vce（sat），确保元件在导通状态下耗散功率较小。而续流二极管的压降亦不高，能够优化关断电能损耗，让在16kHz至60kHz运作频率的单开关准谐振转换器具有更高的效能。

新IGBT具备良好的耐受性和效能，适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、电锅等家电。在2kW应用中，意法半导体的新型IGBT元件还可将功耗降低11%。此外， Vce（sat）具有正温度系数效应，元件之间紧密的参数分布有助于简化设计，可轻松并联多个IGBT二极管，满足高功率应用的需求。该系列前期推出的两款元件25A STGWA25IH135DF2和 35A STGWA35IH135DF2现已量产，其采用标准TO-247长引线功率封装。更多信息，请浏览官网。