瑞萨推出用户端时脉驱动器和第3代RCD

瑞萨电子推出第三代DDR5暂存时脉驱动器（RCD）和第一代用户端时脉驱动器（CKD）用于新兴的服务器及用户端DDR5 DRAM。藉由这些新的驱动器IC，瑞萨成为一家为双列直插式存储器模块（DIMM）、主板和嵌入式应用提供完整DDR5存储器界面产品组合的供应商。

DDR5 RCD和DDR5 CKD IC使新一代DIMM的速度分别高达6400和7200 MT/s，高于目前的5600 MT/s。瑞萨第三代DDR5 RCD专为暂存式DIMM（RDIMM）而设计。CKD支持最高7200 MT/s的速度，并且是业界首款针对小型DIMM（SODIMM）、无缓冲DIMM（UDIMM）、高效能游戏DIMM和嵌入式等的一般用户应用。

Balaji Kanigicherla, Corporate Vice President and General Manager of the Advanced Mixed Signal and ASIC Solutions Division at Renesas表示，作为业界领先的存储器界面产品供应商，瑞萨将持续为存储器生态系统做出贡献以将效能和功耗提升至新的领域。藉由在制定和实现DDR5界面规范中所扮演的重要角色，瑞萨将持续成为全球领先的SOC和DRAM厂商在DIMM和系统级应用方面的重要合作夥伴。

Dr. Dimitrios Ziakas, Vice President of Memory and IO Technologies at Intel表示，基于Intel Xeon平台旨在支持存储器密集型应用，例如深度学习和机器学习的预测分析。第三代RCD是存储器业界的一个重要里程碑，有助于满足数据中心客户对带宽和容量扩充的需求。用户端时脉驱动器是一项业界创举，旨在进一步增强用户端DIMM。瑞萨和英特尔一直与业界合作，协助确保第三代RCD和用户端时脉驱动器的规范和实现，以满足市场需求。

RCD驱动器用于缓冲主机控制器和DRAM模块之间的命令地址（CA）汇流排、芯片选择和时脉信号，此外亦可当成BCOM（缓冲通讯汇流排）用于LRDIMM的数据缓冲。新驱动器将DFE（决策回授等化）分接点（taps）从4个增加到6个来改善DFE以提升接收器余裕，同时I2C和I3C的旁带汇流排可提供对暂存器的直接存取控制。

CKD用于缓冲主机控制器和DRAM之间的时脉，这是对DDR5 DIMM在最高7200 MT/s运作下的新要求，适用于用户端DIMM和嵌入式等应用。新的时脉驱动器支持I2C和I3C旁带存取以开启非同步控制，提供对内部控制暂存器的存取以设定元件功能，并适应不同的SODIMM和UDIMM配置及嵌入式的应用。

瑞萨已将RCD和CKD驱动器与其他产品组合中的兼容元件互相搭配使用成为成功产品组合，例如CKD可与DDR5电源管理IC（PMICs）和串行存在检测（SPD）集线器搭配。RCD也可与瑞萨的温度传感器、SPD Hub、PMICs和数据缓冲器搭配。成功产品组合是经过技术审查的系统架构，来自相互兼容的元件，这些元件可完美的搭配使用以带来最佳化的低风险设计，进而加快上市时间。瑞萨提供超过400种成功产品组合及各种元件，使客户能够加快设计过程并更快地将产品推向市场。