高创科技推出电源架构GTLVR系列CPU/GPU核心电压调节耦合电感器

传统大功耗CPU／GPU应用的服务器产品，其核心电压VRM规格已经来到VR14版，然而所定义的分立式电感（通常使用气隙夹片式电感，或称为气隙Bead Core电感，例如 : 高创科技 GTV系列）透过愈来愈高的工作频率，搭配愈来愈低的感值，虽然带来承载大功耗的能力，但其带来越大的纹波电流及电感耦合系数下，需求愈来愈多的输出电容，占用了更多的PCB空间，这些都是研发人员的苦恼，也是服务器机种效能及稳定性的诸多瓶颈。

IEEE APEC 2020会议上Google着眼于此些问题而提出崭新TLVR耦合电感结构，透过1:1变压器式的设计以及更简约的结构，解决分立式电感的缺点，同时间带来更多效能及成本上的竞争力。

高创科技（GOTREND Technology）推出GTLVR966411PV& GTLVR126011PV系列TLVR架构的耦合电感器，具备更大的耐电流，更强固的本体以及优异的EMI效果，可用低成本应用于需要强调可靠度的产品上，应用领域如产业电脑／5G基站／服务器／车载AI电脑...等。

传统VR架构多相（N Phase）电源使用的气隙大电流分立式电感器（高创科技 GTV系列）多年来在高功耗的CPU／GPU服务器上扮演了很好的高转换效率SMPS储能放能稳压的角色，透过多相电源架构（N Phase）分流，可以达到更大功率下的电流需求，但随着更新VRM版本的推出，电源相数持续增加，开关切换频率持续拉高，同时间必须使用更小感值的电感器来匹配储能放能。

耦合电感器常应用于多相电源拓扑，充分利用其相间磁耦合电流纹波相抵消的技术优势。而通常使用普通分立式电感时，一般只在多相降压转换器输出抵消电流纹波。当耦合电感器通过磁耦合时，电流纹波抵消作用到所有电路元件、MOSFET、电感线圈。最终所有相关操作仅影响到单相，从而减小电流纹波幅值，并达到频率倍增的效果。

而减小电流波形的RMS可有助于提高电源转换的效率，且可缩小磁性元件，并且在获得较快的瞬态响应下，可进而减少输出电容需求，节约BOM Cost。

高创科技TLVR架构的耦合电感器特色与应用领域

特色为1: 1耦合电感器，超高工作频率达5MHz以上。并且拥有超低直流阻抗 : DCR 0.125 & 0.33  ;  0.125 & 0.37mohm，超高饱和-温升电流耐受：98A-75A ; 125A-77A。其气隙特性本体强固，且有优异体积面积占比 : 9x6x10mm ; 11x5x11mm。另外，有超低铜阻可直接引脚端子，配有5种感值，匹配PMIC设计。产品经有害物质检测，符合RoHS Directive 2002 / 95 / EC。

可应用于PMIC多相电压调节器、新架构电压调节器模块（TLVR）、电脑服务器 / 产业电脑级 VRM和EVRD、5G数据网络和存储系统、GPU图形卡和BMS电池电源系统PMIC控制、POL负载点模块和DCR感应电路。

高创科技创立于1999年，专业设计产销磁性零组件23年，客户遍布海内外5C产业，拥有IATF16949认证体系及AEC Q200品质水准，优异的QCDS值得信赖！更多详细信息，请参阅官网或连联络GOTREND高创科技业务人员。