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东芝推出驱动中高电流IGBT/MOSFT之光耦合器

  • 吴冠仪/台北

东芝电子元件及储存装置株式会社推出一款驱动中高电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的预驱动光耦-TLP5231,其适用于工业逆变器和光伏的功率调节系统。此预驱动光耦内置多种功能,其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。

新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中高电流IGBT和MOSFET。

目前现有产品需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。

通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT与MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。

其它功能包括:在检测到VCE过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制栅极软关断时间;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE之外,还有UVLO检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。