富士通半导体推出新1Mbit和2Mbit FRAM产品

EEPROM和本产品的写入时间比较

香港商富士通半导体有限公司台湾分公司宣布，推出两款全新1 Mbit和2 Mbit FRAM产品MB85RS1MT与MB85RS2MT。新产品是目前富士通产品系列中最高容量的序列界面FRAM元件，预计在3月底开始为客户提供样品。

富士通半导体持续开发FRAM产品系列，全新的MB85RS1MT(1 Mbit)和 MB85RS2MT(2 Mbit)为目前富士通提供的最高容量的SPI序列界面FRAM元件。两款新型FRAM元件保证提供10万亿次的读？写周期，是现有FRAM芯片的10倍，可针对实时、连续数据记录提供更好的支持，适用于智能电表、工业机械和医疗设备等应用。

智能电表、量测设备、工业机械和医疗设备(如助听器)等设备都需要序列界面的1-2 Mbit非挥发性存储器，现在已可采用富士通半导体的全新型FRAM产品取代传统的EEPROM。在提升快速写入功能后更可提供更高的效能，同时也将因电压突然下降或者停电引起的数据遗失风险降至最低。相较于相同容量的EEPROM元件，MB85RS1MT和MB85RS2MT写入时可减少92%的用电功耗，延长电池寿命。

对于使用SRAM记录数据和使用EEPROM储存参数和程序的工业机械用途而言，新款FRAM产品可将EEPROM、SRAM和用于数据保存的电池系统存储器元件所需的功能整合至单一芯片中，进而减少所需元件的数量，更不必更换电池，因而可大幅降低元件成本、电路板面积和功耗，有助于发展更小型、低功耗的设备，不再需要备用电池。

FRAM具备非挥发性数据储存功能和高速数据写入的随机存取优点。不但提升效能，更能在仪表设备等应用面临电源临时中断时保护数据。FRAM写入机制仍能确保数据可高速写入FRAM元件，而不会损失任何重要数据。富士通半导体的FRAM产品自1999年量产后，凭藉这项功能带来的优势，已广泛采用于工厂自动化设备、量测设备、金融业销售点管理和医疗设备等领域。

概括而言，新型的FRAM产品拥有减少电路板面积、不必更换电池、降低功耗和元件成本等四大优势。展望未来，富士通半导体将持续为客户提供解决方案、协助客户提高产品效能和设备维护，并大幅降低风险。