英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET以更高的功率密度和效率树立标准

英飞凌推出OptiMOS 6 200 V MOSFET以更高的功率密度和效率树立业界新标准。英飞凌

英飞凌科技股份有限公司推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列，使马达驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动堆高机等应用提供出色的效能。新款MOSFET产品的导通损耗和开关效能都更加优化，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音讯、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭藉宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS（on），该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的业界标准。

与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS（on）降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管效能方面，OptiMOS 6 200 V的柔度（softness）大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr（typ）降低了89%，使开关和EMI效能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容（Coss 和 Crss），线性度减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的VGS（th） 分布和低传导特性有助MOSFET并联和电流均流，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET 的数量。

OptiMOS 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合 RoHS 规范且不含铅，满足当前业界标准的要求。

OptiMOS 6 200 V产品提供多种封装，包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P，适用于多种应用。所有型号目前均已开放订购。欲了解更多信息，敬请浏览英飞凌官网。