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英飞凌荣获COMPUTEX Best Choice Award类别奖

  • 赖品如

全新电源管理典范:英飞凌CoolGaN e-mode HEMT 荣获 Computex Best Choice Award类别奖。

电源转换产品在我们的日常生活中无所不在,各类技术的演进也让各种轻薄短小的电源转换产品得以实现。然而,就功率元件材料而言,矽材料的发展已接近其物理极限,让市场更加看好宽能隙材料的应用前景。全球半导体领导厂商英飞凌科技旗下氮化镓功率元件CoolGaN e-mode HEMT系列凭借其高功率密度、同级最佳效率及降低系统成本等优势,荣获 2019年度Computex BC Award 类别奖。同时,英飞凌也是目前市场上唯一一家专注于高压功率器件,涵盖矽(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料且具有良好市场地位的全方位供应商。

英飞凌CoolGaN e-mode HEMT 采用常闭式( norm-OFF)概念,不仅让设计人员容易导入,同时也实现快速开通和关断。CoolGaN开关具极低的栅极电荷及反向导通状态下的优异动态效能,能够进而大幅提高系统工作频率,从而透过缩小储能及能量转换元件的总体尺寸,提高功率密度,在相同能效下的功率密度可达140W/in3(3kW LLC,效率>98%),在相同的转换系统尺寸中达到几乎三倍的输出功率,换言之,可节省更多空间。CoolGaN e-mode HEMT支持高频运行的应用,包括:企业与资料中心服务器、电信整流器、适配器、充电器和无线充电设施等。

英飞凌是唯一拥有自身完整价值链的供应商 – 从制造、质量管理乃至系统设计支持。在CoolGaN的质量管理流程中,不仅对产品本身做测试,还包括产品于应用中特性表现的测试。此外,CoolGaN拥有高度的耐用性以100 ppm(百万分之一)的失效率来看,预估零件使用寿命约为55年,超越预期寿命40年,是市面上最可靠且通过全球认证的GaN解决方案之一。

根据市调机构IHS Markit之报告,2026年整体GaN功率元件市场规模将超越10亿美元。CoolGaN的高效率及其为系统带来的高功率密度,不仅有助于节能减碳,实现更加小巧轻盈的设计,亦协助客户降低系统总成本和营运成本,减少资本支出。在未来万物联网与AI应用的时代,数据储存及运算需求将大幅增加,对能源与电力的需求也加倍遽增。CoolGaN 将成为推动「节能永续」不可或缺的重要元件技术。