新思与台积电开发低功耗40纳米eFlash制程IP

新思科技与台积电共同开发获晶圆厂赞助的DesignWare基础IP，内容包含逻辑库和嵌入式存储器，适用于台积电40纳米超低功耗及40纳米低功耗eFlash制程。新思科技这项用于台积电40纳米eFlash制程的基础IP，可协助设计人员降低IoT设计的功耗。逻辑库包含多重频道闸极长度(gate length)和超低漏电标准元件，可将漏电功耗降至最低，此外也提供功耗优化套件及多位元正反器，能在近临界电压的操作下，让额定电压(nominal voltage)降至原本的60％。嵌入式存储器则提供睡眠、休眠及关机3种功耗管理功能，能将漏电降至最低，另外也具备辅助电路，能实现最低的操作电压。用于台积电40纳米eFlash制程的DesignWare逻辑库及嵌入式存储器IP可透过新思科技的「晶圆厂赞助IP计划」取得，符合该计划资格的客户可从新思科技免费获得IP的授权。

台积电设计基础架构行销事业部资深协理Suk Lee表示，新思科技是台积电长久的合作夥伴，持续在这样的合作基础上，提供适用于各式台积电制程、经矽晶验证的高品质DesignWare IP，以协助双方客户达成设计目标。这套用于台积公司40纳米eFlash制程的新思科技基础IP，说明新思科技对于IP开发不遗余力，持续协助设计人员开发出能达到最佳功耗及芯片面积的SoC。

新思科技IP行销副总裁John Koeter表示，与台积电保持密切合作，以符合设计人员在效能、功耗及芯片面积的特殊需求。这套由晶圆厂赞助、适用于台积电40纳米eFlash制程，并具备低功耗功能的DesignWare逻辑库和嵌入式存储器IP，能协助设计人员改善其IoT产品的能源效率，并延长电池的续航力。