旺宏NOR快闪存储器 形塑超高省电应用与发展

旺宏电子产品行销处副处长黄盛绒(Donald Huang)博士

随着半导体制程技术不断演进，芯片的晶体管的密集度屡创新高之际，同步也朝向更省电的发展推进，旺宏电子(Macronix)自推出业界最快的SPI NOR Flash系列存储器产品，以500MB/s传输速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快闪存储器系列产品，数据传输速度更一举突破250MHz而拔得头筹，现今旺宏以完整的产品线，进一步推出超低电压的1.2V的SPI NOR快闪存储器，在制程技术与超低功率消耗产品在线开创一个全新的里程碑，为智能医疗与穿戴式装置的的应用向前迈出重要的一步。

旺宏电子产品行销处副处长黄盛绒(Donald Huang)博士接受这次专访，在旺宏发展1.2V低电压驱动的快闪存储器的制程技术，竖立新的里程碑时，探讨市场上对超低功率消耗应用的快速发展，并寄予厚望，他指出晶圆厂的逻辑线路制程已经大量采用40纳米以下的制程，核心电压一举朝向较低的0.9V以下电压推进，降低核心电压之举，连带让具备超低电压、超低功耗与小型封装特性的半导体解决方案，进一步推升智能医疗与穿戴式装置的新型态的应用，也让市场上的需求1.2V电压驱动的存储器装置的需求，成为下一波存储器市场的瞩目焦点。

新的制程维持高效能与低耗电的设计，帮助智能应用与物联网技术的大量普及，举凡健康照护、穿戴式装置与移动联网装置在市场上几乎一呼百应，产品如雨后春笋般在市场上蔚为一股强大的发展趋势，为了延长这些以电池驱动的小巧精密电子装置的使用时间与续航力，以及更小体积电池的殷切需求，产业界开始使用新技术开发电池装置，包进比现今最先进技术的锂离子电池更多的电量，其驱动的电压也只有在1.5V以下而已，加上诸如DDR4的动态存储器也采用1.2V的驱动电压，低电压驱动的市场趋势非常的明显。

使用1.2V的低电压NOR快闪存储器，兼具成本与精简设计的优势

一旦直接使用1.2V的低电压NOR快闪存储器，可以省下其他元件的使用，或是让微控器(MCU)的组合搭配更佳充裕与弹性，同时立即反映在成本与线路设计的精简化的优势，旺宏1.2V的NOR快闪存储器的诞生可以直接搭配低电压驱动的MCU、DRAM与传感器的电子元件，有效扩大旺宏的快闪存储器的应用层面，补足在低电压驱动产品线的重要一块拼图。

Macronix推出MX25S系列的1.2V串行型NOR快闪存储器产品，采用标准串行型NOR快闪存储器界面，具低电压、超低功耗与小型封装特性，MX25S的产品工作电压范围从1.14V到1.3V，适用于任何超低耗电的应用，提供可携式产品持久的电池续航力，黄盛绒自豪的表示：「MX25S系列产品较标准串行型NOR快闪存储器可节省超过60%的电力消耗」。

MX25S系列产品为了彰显存储器能在超低待机状态的省电效能，一举将Deep Power Down电流降到0.007μA的超级省电模式，同时当需要从Deep Power Down模式唤醒时，只需要35μS的时间就可以完成，反应速度令人满意，而正常运作时，其主动电流最低可低到1.65mA，是目前业界的NOR快闪存储器产品中，最令人激赏的规格。

输出入端规格目前支持Multi-I/O、暂停／回复 (Suspend/Resume)功能，同时加上数据安全防护的Unique ID和Secured OTP的规格，涵盖存储器装置最夯的使用规格。MX25S系列产品容量规划从512Kb到64Mb的型号，初期以4Mb至16Mb范围的产品为主力，并提供如WLCSP、WSON、USON与SOP等超小体积的封装产品，亦可提供良裸晶KGD与MCU等控制器搭配，以16Mb的MX25S 1.2V NOR快闪存储器为例，从41mm的8-pin SOP封装面积，到使用WLCSP的封装，面积可以小到只有3.1mm，满足不同需求的应用。目前MX25S系列产品已经开始初步送样，提供给客户进行初步设计验证，而旺宏的正式量产的规划预计将于2018年的第1季季底开始全面展开，藉由低电压制程技术的持续发展，旺宏也将持续打造低电压驱动的产品组合，展现强大企图心以掌握智能医疗与穿戴式装置所引领的超高省电的应用。