360°Research：Bad Block Management

故障区块管理(Bad Block Management；BBM)即控制IC的故障区块管理机制，是用来侦测并标示NAND Flash中的故障区块，避免日后数据存入故障区块中，以提升数据存取可靠度。

NAND Flash中的故障区块分为Early Bas Block与Latter Bad Block。Early Bad Block是NAND Flash在制造过程中，因制程或技术因素所产生的故障区块，一般约占NAND Flash总容量的1%；Latter Bad Block则是在NAND Flash被使用的过程中所产生，一般被控制IC业者控制在NAND Flash总容量的5%之内。

NAND Flash首次被启用时，控制IC的故障区块管理程序会逐一检查NAND Flash内每个区块，若有发现故障区块，便将之记录至故障区块表(Bad Block Table；BBT)中，以防止日后数据被写入这些故障区块中。

建立故障区块表后，随后NAND Flash在被使用的过程中，若有区块在抹写时发生错误，同样也会被记录至故障区块表中，并将抹写失败的数据内容重新移植到新的有效区块中，以避免因抹写过程的错误导致数据流失。