Microsoft
科政中心
 

氮化镓电源IC当道 取代矽晶体管

Power Integrations, Inc.高级市场部经理李子俊。

在电源管理领域,基于氮化镓(GaN)的电源管理元件扮演的角色分量日重,因为相较于矽,GaN具有更佳的效率且尺寸能进一步缩小。预期矽晶体管将快速转换为GaN,Power Integration(PI)此前已积极布局基于GaN的新型电源IC。PI高级市场部经理李子俊指出,InnoSwitch3的氮化镓系列产品推出,使得PI成为离线式切换开关IC市场的技术佼佼者。

PI持续力推GaN技术,希望能将这项技术推广到更多的应用中,例如行动装置的USB PD充电应用。新的USB PD充电标准搭配Type-C连接器,可以为各种行动装置提供高达100W的功率,而随着手机品牌商企图以充电速度做为手机差异化诉求之一,可以想见基于USB PD的快速充电需求也将水涨船高。

针对USB PD快充应用,PI所推出基于GaN的InnoSwitch3系列IC,不仅可以满足行动装置对于快充效率的期待,并且能解决散热问题,且体积可以进一步缩小。

李子俊说明指出,在快速充电应用中,效率非常重要,然而体积太小易造成散热不好,进而影响效率,PI的InnoSwitch3系列IC适足以克服小体积与散热之间的冲突,保持极佳的效率水平。值得一提的,PI InnoSwitch3产品的高集成度,可以使得高功率充电器的设计进一步简化,并且减少元件数量。

PI最近又为InnoSwitch3新增一生力军,推出氮化镓系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。拜PI自主开发的高压氮化镓开关技术所赐,这颗新IC可在整个负载范围内提供94%的高效率,且在密闭适配器内、于不使用散热片的情况下,可提供100W的功率输出。

李子俊强调,此一InnoSwitch3元件以GaN切换开关取代IC一次侧的传统矽高压晶体管,可减少电流流过时的导通损耗,并大大降低运行期间的切换损失,实现矽开关无法达到的功率密度水平。

  •     按赞加入DIGITIMES智能应用粉丝团