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泛铨启用新办公室 扩展全方位分析能量

泛铨科技启用新竹公道五路全新据点,董事长柳纪纶(中)表示,配合国际大厂投入7纳米以下制程,泛铨以两岸完备的布局,提供及时的材料分析服务。

泛铨科技12月18日新竹正式启用新办公室,多位贵宾到场祝贺。创业14多年来,深耕半导体相关材料分析领域,长期稳定的客户数近200家,每月处理研发案件量达数千笔,已是半导体等高阶制程领航者。

近三年因应高阶制程发展,尺寸微缩已至数个纳米等级,除了逻辑矽(Si)先进制程努力地延续摩尔定律外,摩尔定律演进过程中所未开发的部分,也随著5G概念的兴起与车用电子应用发展出第三类半导体,如GaN与SiC;物联网低功耗的需求,促使半导体晶圆厂也积极开发新型存储器。面对半导体等各种高阶制程持续精进,泛铨科技已备妥相关MA(Material Analysis,材料分析)技术,且提供客户由FA(Failure Analysis,故障分析)、MA到SA(Surface Analysis,表面分析)一站式服务来因应。

材料分析在小于7纳米制程的挑战在于样品的制备,最明显的如超低介电材料(Low K)与7+纳米制程导入的EUV光阻,受限于材料天性,在使用电子显微镜观察其微结构与成分时,容易因电子束的照射,导致样品变形、倒塌,造成研发人员的误判。使用泛铨科技早在数年前就开发出的原子层沉积技术(ALD),即可解决此一问题。

在5纳米制程进入量产,研发3纳米与2纳米制程也早已启动,未来制程技术推进至低于1纳米也不无可能。除了鳍式场效晶体管(FinFET)架构的制程外,先进晶圆厂与国外著名研究机构也在数年前开始研发环绕闸极(GAA)的架构,期待未来能取代FinFET架构。泛铨科技在GAA架构研发上也没缺席,目前与多家客户合作,材料分析质量也深获肯定。

展望未来,泛铨科技除了持续添购更高阶的分析设备,更会积极研发先进制程分析工法,专注于担负国际第一线大厂高阶制程领航者。

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