基础功率元件小兵立大功 下一步SiC混合式IGBT崛起? 智能应用 影音
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基础功率元件小兵立大功 下一步SiC混合式IGBT崛起?

  • 何致中评析

基础矽(Si)基功率元件如二极管、金氧半场效晶体管(MOSFET)等,向来在上游晶圆代工厂中排序较为落后,目前业界热议的基础IC如电源管理芯片(PM-IC)、微控制器(MCU)等,大多是8寸厂投片主力,MOSFET则投片8寸厂,辅以部分6寸厂,二极管则以...

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