回顾过去早期的130nm~28nm时代，半导体制程以材料创新为主，包括铜制程、Low-k与HK/MG的材料变化。但近期的28nm~10mm时代，以3D的FinFET及2D的FD-SOI的结构性改善为主，而未来的7nm~3nm则以导入EUV来进行工程上的微细化，至于未来的3nm之后，则有待材料、结构的同步创新，且难度更高。无论是GAA、Nano-wire或FinFET with SOI，成本也都将会是天价。
其实从28nm起，传统的Bulk Planar制程就开始面对物理极限的问题，但3D的FinFET技术解决了快速运算芯片的问题，而2D的FD-SOI则提供了低耗电的制程技术，这种将来可能被广泛应用于5G与物联网上的芯片也十分受到关注，只是在技术进展上慢于FinFET。
FinFET用于应用处理器、CPU与GPU等需要快速运算的芯片上，例如苹果的iPhone XS便使用7nm的FinFET技术，英特尔最先进的CPU也是10nm FinFET，但从2D变成3D，工程费用大增，一个7nm的逻辑芯片厂，竟然高达180亿美元，简直匪夷所思。FinFET的制程非常复杂，需要多次的Multi-patterning的程序，14nm要12~13次，10nm要25~30次，而7nm要35~45次。此外，就算导入EUV的设备，短期内也将与FinFET的设备共存。
目前台积电领先进入7nm，三星将在2019年下半领先在7nm生产中导入EUV设备；联电已经可以量产14nm、中芯国际还在28nm挣扎，但宣称将在2019年下半年量产14nm，但至今28nm以下的先进制程，贡献营收比例仅有3%。
2018年，台积电与三星都在7nm制程中引进FinFET技术，而2020年的5nm制程引进EUV设备又是一次激战。预期4nm的时代，GAAFET的制程(Gate-All-Around Field-Effect Transistor)可能成为主流，而4nm也可能是最后一代的FinFET制程。（以上都是从韩国研究机构汇整的数据，仅供参考）
为拥有近40年资历的产业分析师，一手创办科技专业媒体《电子时报》（DIGITIMES），着有《矽岛的危与机》、《东方之盾》、《断链之后》、《科技岛链》、《巧借东风》、《西进与长征》、《出击》、《电脑王国ROC》、《打造数码台湾》、等多本着作。曾旅居韩国与美国，受邀至多家国际企业总部及大专院校讲授产业趋势，遍访国内、欧美、亚太主要城市。
