林育中
DIGITIMES顾问
现为DIGITIMES顾问，臺湾量子电脑暨信息科技协会常务监事。1988年获物理学博士学位，任教于国立中央大学，后转往科技产业发展。曾任茂德科技董事及副总、普天茂德科技总经理、康帝科技总经理等职位。曾于 Taiwan Semicon 任咨询委员，主持黄光论坛。2001~2002年获选为臺湾半导体产业协会监事、监事长。
存儲器体制的未来演变
严格来讲，是存儲器(memory)和储存器(storage)。前者是指在运算中的暂存器，譬如SRAM和DRAM；后者是數據永久储存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁带。之所以会有这样复杂的样态，最主要的原因是CPU运算速度与储存器读写速度之间存有巨大落差。所以从CPU与最终储存器之间，必须建立数层的中介存儲器来转换，CPU与几个层次的髙速缓存(cache)SRAM整合在一起，然后外接速度较慢、但每位元价格稍便宜的DRAM，最后到速度差几个数量级、但每位元价格最低廉的的SSD，这就是现存所谓的存儲器体制(memory hierarchy)。
2018-12-13
半导体的增值新方向—异质整合路线图(二)
IEEE和SEMI共同支持的HIR(Heterogeneous Integration Roadmap；异质整合路线图) 的第1个范畴HI for Market Applications中包括6项：Mobile、IoT、 Medical and Health & Wearables、Automotive、High Performance Computing and Data Center以及Aerospace and Defense。这个范畴的纲目本身就引人注目，过去从来没有在技术路线图中去涉及应用的。
2018-12-06
半导体的增值新方向—异构整合路线图(一)
半导体之所以为高科技是因为它能不断的创造新经济价值。过去依赖的是摩尔定律此单一因素，现在制程微缩的进程已渐迟缓，产业需新的经济价值创造典范。
2018-11-29
半导体往三维制程的路径
当摩尔定律渐趋迟缓时，还能持续不断创造经济价值的方向之一是往三维(3D)制程的方向走。3D的努力最早始于封装：不能整合在同一个芯片上，那么封装在一起吧！但是也碰到了挑战—连接各层芯片的矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)精度有限，因此也限缩了应用的范围。
2018-11-22
功率器件的应用以及发展策略
功率器件(power device)是一个大的半导体器件族群，从最早的BJT(Bipolar Junction Transistor，双极性接面晶體管)、GTO(Gate Turn-off Thyristor，栅关断闸流体)到现在的Power MOSFET、IGBT(Insolated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶體管)以及正在加温的SiC(Silicon Carbide，碳化矽)与GaN(Gallium Nitride，氮化镓)宽带隙(wide band gap)材质的功率器件都属于此族群。
2018-11-15
量子信息的近程和远景(二)：到量子互联网的6个步骤
欧盟量子技术旗舰计划正在维也纳的皇宫举办启动会议，以10亿欧元支持其所精挑细选的20个计划。这是继9月份美国动员全国之力启动量子研发后的另一大手笔。
2018-11-08
量子信息的近程和远景(一)：量子电脑的各种实现方法
量子信息最近的研究高潮迭起，先是有Bravyi et al于《Science》(注1)证明量子演算法的优异性，接著Wehner et al也于《Science》(注2)预想了量子信息自最近的量子密钥配送(Quantum Key Distribution；QKD)至最终极的目标－量子计算－的6个步骤，科学界和产业界似乎都齐头大步开展研究的步伐。
2018-11-01
二维材料于半导体和能源产业的应用
二维材料是指在形成晶结构时，在垂直的方向只有一层分子，像一张纸。用以下将讨论的MoS2(molybdenum disulfide，二硫化钼)为例，从这二维结构的侧面看，Mo原子居中，上下各有一S原子。所以虽然叫二维，但还是有一点三维的分量。从二维结构的上方来看，这些重复的MoS2分子形成六边形的蜂巢状结构。
2018-10-25
各种新兴存儲器比较
新兴存儲器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存儲器，最主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存儲器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。这些新兴存儲器目前都在竞争储存级存儲器(Storage Class Memory；SCM)的核心位置。
2018-10-18
DRAM技术大转弯
据韩媒Kinews等的报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，日前传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水准。SK海力士2018年下半，则是将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。(参见DIGITIMES《韓國存儲器厂重整投资步伐　三星DRAM新产线投资放缓、SK海力士加速NAND Flash新厂量产》)
2018-10-11
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