林育中
DIGITIMES顾问
现为DIGITIMES顾问，臺湾量子电脑暨信息科技协会常务监事。1988年获物理学博士学位，任教于国立中央大学，后转往科技产业发展。曾任茂德科技董事及副总、普天茂德科技总经理、康帝科技总经理等职位。曾于 Taiwan Semicon 任咨询委员，主持黄光论坛。2001~2002年获选为臺湾半导体产业协会监事、监事长。
具潜力的納米金属导线材料：砷化铌
这几年納米材料的进展在半导体及相关领域迅速开展，速度令人眩目惊心。先是去年下半年发现拓朴绝缘体(topological insulator)锑化铋(BiSb)可以用来做为SOT MRAM的磁化翻转机制导线材料，数量级的大幅降低所需电流与功耗、提升写入速度。3月底才于《Nature Materials》[1]发表的砷化铌(NbAs)则对未来半导体深納米金属连线提供了极有潜力的材料。
2019-04-11
SOT MRAM的原理与发展近况(二)
SOT MRAM既然使用了不同于STT MRAM的翻转机制，在元件结构上也自然不同。STT MRAM的读、写电流均直接垂直通过MTJ；而SOT MRAM的读取电流如旧，但写入电流则依靠与自由层平行邻接的材料中流过的电流，带动二者界面上的自旋轨道作用所产生的转矩，用以翻转自由层的磁矩。
2019-03-28
SOT MRAM的原理与发展近况(一)
最近pSTT MRAM逐渐在各大代工厂进入量产阶段，初步的工程工作算是一个阶段的完成。有时候pSTT MRAM又叫做第三代MRAM，代与代之间基本上是以翻转磁矩的机制来区分的。
2019-03-21
存儲器运算的可能趋势
依据von Neumann架构，计算机中存儲器和控制单元是分离的，这也是目前计算机及相关的半导体零件制造的指导方针。但是在目前海量數據的处理与储存上，这样的架构对數據的「读取—处理—储存」循环在數據传送速度、功耗上形成重大挑战。特别是存儲器本身因写入速度、保留时间等的特性差异，从cache、DRAM、NAND等形成复杂层层相转的存儲器体制(memory hierarchy)，让數據的处理循环变得更长、更耗能。
2019-03-14
针锋相对　中美科技的对撞点
白宫2月在官网上发布了「America will Dominate the Industries of Future」，由美国科学与技术政策办公室(Office of Science and Technology Policy)发文，最前头引用了川普(Donald Trump)的话，希望透过立法以投资基础架构于先进产业。
2019-03-07
量子运算能算什么？
去年是量子信息科学风起云涌的一年。受到之前中国大陆发射墨子卫星、设立量子信息与量子科技创新研究院、布置京沪量子通讯骨干網絡等发展的影响，美、欧、日、韩等国都发布了高层次的国家量子科技政策，而臺湾也整合产学、启动了几个大型計劃。量子信息包含了量子通讯和量子运算等领域，量子通讯能保障通讯安全，是国家安全议题。但是量子运算能做什么？这是个基本问题。
2019-02-22
5G新纪元不远　标准、规格怎么看？
5G的第一阶段标凖Release 15于2018年6月含SA (standalone)的方案己完整公布，第二阶段的标凖Release 16则将于2020年底公布，5G距完整布建的时间不远了。
2019-02-14
美国眼中的中国大陆科技威胁
MIT Technology Review (MIT TR)是MIT所拥有的独立刊物，原先的读者群是尖端科技精英，后来逐渐转向商务人士及一般大众。由于背后有强大的科技咨询团队，杂志中的科技叙述及评论大致八九不离十。时值中美贸易谈判，本期的主题就是「The China Issue」，语带暧昧。
2019-01-31
嵌入式MRAM和独立式MRAM要分流了！
几乎所有的新兴存儲器出道时都宣称与CMOS制程兼容，意思是可以做逻辑制程的嵌入式存儲器。这意味著开发一种存儲器技术可以一鱼两吃，适用于嵌入式和独立式存儲器。但是从历史的发展来看，这样的一厢情愿最后很难坚持，像eDRAM几乎很少用过，eFlash最终停留在65nm，很难与逻辑制程一起微缩，而且此时的嵌入式存儲器制程与独立式存儲器制程早已大相迳庭了！
2019-01-24
拓朴材料于半导体的应用
材料科学的进展对于此时的半导体产业是及时雨，而且从科学变成技术的速度也令人叹为观止。前几年还在《Nature》、《Science》这些顶级科学期刊当成科学新发现的议题，有很多已经至少被展示在納米级元件的应用。譬如二维材料中的过渡金属二硫属化合物(Transition Metal Dichalcogenide；TMD)半导体，由于其二维维度及材料特性—高电子流动性(mobility)、低漏电流(leakage current)、高可挠性(flexibility)等性质，已被用于nm等级3D电晶级的开发，用做通道(channel)材料。许多伴随二维材料的技术及设备也正在同步开发，常被提到的材料有二硫化钼(MoS2)及二硒化钨(WSe2)。
2019-01-17
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