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 Industry Review: 3Q'16韩国存储器产业观察:产值季增13.9% 4Q'16再战双位数季增率

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2016年第3季韩国存储器产值已接近14兆韩元(约123亿美元),较前季成长13.9%,DIGITIMES Research预测,在终端需求持续增加及单机搭载容量提升带动下,2016年第4季有望突破15兆韩元(约132亿美元)大关。

观察2016年第3季韩国存储器产业发展,因全球PC与智能型手机等终端装置出货增加,以及厂商因应旺季来临回补库存,DRAM与NAND Flash需求增加,价格出现翻扬,韩国存储器产值达13.95兆韩元,较前季成长13.9%,也较2015年同期微增0.6%。

三星(Samsung Electronics) 2016年第3季DRAM营收季增18.0%,优于SK海力士(SK Hynix)的4.3%及全球的15.8%。三星先于2016年第1季量产18纳米制程DRAM,2016年第3季服务器用DRAM(Server DRAM)及行动DRAM(Mobile DRAM)也导入18纳米制程技术生产,亦使其DRAM成本竞争力持续提升。

NAND Flash方面,2016年第3季三星与SK海力士营收合计达5.13兆韩元,季增15.3%,两公司NAND Flash营收季增率表现皆亮眼,双双突破15%。

展望2016年第4季,DIGITIMES Research预测,因韩元兑美元走贬压力大增,随著全球PC及智能型手机等终端装置出货续增、智能型手机用行动DRAM及NAND Flash单机搭载容量提升、3D NAND Flash SSD渗透率提高,加上DRAM合约价飙升等因素,韩国存储器产值将持续上扬,有望突破15兆韩元。

2Q’15~3Q’16韩国存储器产值变化
注:为三星与SK海力士存储器营收合计值。
资料来源:三星电子、SK海力士、DIGITIMES,2016/11

内文目录

  • 3Q’16旺季开跑 韩国存储器产值季增13.9%
  • DRAM产值季增13.1% 三星季增率优于SK海力士
  • NAND Flash产值季增率双破15% SK海力士转亏为盈
  • 4Q’16韩国存储器产值有望上攻15兆韩元
  • 存储器市场逐渐回稳 韩厂加速转进先进制程

图表目录

  • 2Q’15~3Q’16韩国存储器产值变化
  • 2Q’15~3Q’16三星与SK海力士DRAM营收变化
  • 3Q’15~3Q’16 标准型DRAM现货价走势
  • 2Q’15~3Q’16三星与SK海力士NAND Flash营收变化
  • 3Q’16 NAND Flash合约价走势
  • 5 个图表

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