Slide Show: 三星推迟3纳米制程量产至2023年 恐不利与台积电竞争
DIGITIMES Research观察,逻辑芯片制程现已达5纳米节点,且量产业者为数有限,台积电虽技术领先,但三星电子(Samsung Electronics)亦积极追赶,除4纳米制程将在2021年下半推出外,并将在3纳米启用环绕式闸极场效晶体管(Gate-All-Around Field Effect Transistor;GAAFET)技术欲超越台积电,然三星已推迟3纳米制程至2023年量产,恐使其更难追赶台积电。
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