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2017年为4位元3D NAND Flash技术元年 耐久度与传速等课题待克服

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4位元(Quadruple Level Cell;QLC) 3D NAND Flash理论上一组Cell可记录16种储存状态(4bits/cell),其储存容量较既有技术更加提升,但存...

内文目录

  • QLC应用于3D NAND Flash 存在传速慢与使用寿命短等课题
  • 三星与东芝自2017年中陆续发表QLC技术3D NAND Flash样品
  • 结语

图表目录

  • QLC可望成为3D NAND Flash储存单元的第四种储存型态
  • 3D NAND Flash储存型态别主要特性比较
  • 三星第一至五代3D NAND Flash发表时点与主要技术内容
  • 5 个图表

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