台积电2纳米制程采GAA架构 三星3纳米弯道超车恐落空
- 陈玉娟／新竹
近日供应链盛传台积电2纳米制程确定采用环绕闸极技术(Gate-All-Around；GAA)技术，现已离开寻找路径阶段(pathfinding)，进入交付研发阶段，继FinFET时代夺胜后，再度压制三星电子(Samsung Electronics)3纳米GAA逆转...
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