台积电2纳米制程采GAA架构 三星3纳米弯道超车恐落空
- 陈玉娟/新竹
近日供应链盛传台积电2纳米制程确定采用环绕闸极技术(Gate-All-Around;GAA)技术,现已离开寻找路径阶段(pathfinding),进入交付研发阶段,继FinFET时代夺胜后,再度压制三星电子(Samsung Electronics)3纳米GAA逆转...
本文开放免费阅读时间已过,限「科技」会员、「科技产业报」订户阅读,请输入您的email验证。
若还未加入,欢迎「申请加入科技会员」,可阅读全站新闻及使用数据库服务。
或可订阅免费的「科技产业报」,每日可阅读2则以上开放新闻。
若还未加入,欢迎「申请加入科技会员」,可阅读全站新闻及使用数据库服务。
或可订阅免费的「科技产业报」,每日可阅读2则以上开放新闻。
会员登入
会员服务申请/试用
申请专线:
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(周一至周五工作日9:00~18:00)
关键字