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纬谦科技

HBM3E新时代竞逐

美光24GB 8H HBM3E近日宣布量产,采用1-beta制程结合矽穿孔(TSV)先进技术,号称可满足大型神经网络训练或推论工作负载的加速运作对存储器带宽的要求。

配合NVIDIA H200出货 美光HBM3E量产拔头香

HBM市场竞争升温 12层HBM3E量产时机成关键

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