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DRAM又遭遇的反柯断诉讼

  • 林育中
反柯法虽然成案后判决越来越重,但天平却比较移向被告一方-原告举证的责任越来越重,市场的定义也亦趋严格。(图片来源:Pixabay)

4月27日在北加州地方法院Hagens Berman律师事务所对三家DRAM大厂三星电子(Samsung Electronics)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)提起集体诉讼,指控这三家占全世界市场供应96%的厂商共谋限制产量,是典型的反柯断和固定价格(price fixing),指控的反柯断和固定价格期间从2016年7月1日~2018年2月1日。

与2002年DRAM反柯断案相似的是指控反柯断和固定价格,这三家也是被告;Hagens Berman律师事务所也被委任,算是熟门熟路了;而连剧情也惊人的相似:上一次五家(另外还包括英飞凌和尔必达)先藉Semicon West之便开秘密会议,后来移师夏威夷;这一次则指称这三家于2016年先后藉European Executive Conference与Memory+ Conference秘会,价格于会议后随及陡升。

但是环境和产业的改变,使得这两个相似的案件走向未必相同。Sherman Antitrust Act是个历史悠久的法案,但近年来的趋势让原告增加了许多负担。一般违反反柯断法有两种范畴:「per se」与「rule of reason」。

「per se」是拉丁文,意思是就其本身而言(by or of itself),就是行为本身明明白白的违反法案第一节的以协议(agreement)、共谋(conspiracy)、法律安排(trust)来限制交易。「rule of reason」(合理法则)则是需要了解行为的企图、动机以及其导致的结果全面考虑,这是个比较间接的论证。

从此次法律文件中比照业界会议以及价格骤涨时间,合理的猜测诉求的是合理法则的违法。反柯法虽然成案后判决越来越重,但天平却比较移向被告一方-原告举证的责任越来越重,市场的定义也亦趋严格,使得原告要举证被告的共谋对市场有害日益困难。

另外产业内的变化恐怕未被原告方详细考虑。控诉中的柯断期限中产业恰好处于技术大变革时期。这三家公司都生产DRAM与Flash,而在这期间正好是Flash制程由平面大量转换成3D的时间,DRAM制程从此与Flash制程分道扬镳,二者不再享有制程与设备的综效,需要分别研发、投资。

DRAM的制程的进步需要1、2纳米的逐步攻克,产能的增加只能靠近乎纯机器设备的投资;而3D Flash犹享有类摩尔定律的增长。如果你是公司的CEO,你会优先投资那一个产品?选择不言而喻。

而控诉以三家共谋控制产量,这个比较象是以公司的平行举止(parallel conduct)来指控存在共谋,这在前述的合理法则范畴中需要举证至看似合理(plausible)的程度,而不只是可以想象(conceivable)或可能(possible)的地步。

这三家都经历过反柯断法的洗礼,而且反柯断法有刑责,不是钱可以解决的事。2002年的反柯断案判刑大致在4~6个月,被关押的最高层级到业务副总为止。之后的面板反柯断案刑期就骤增至1年以上,关押至董事长。我相信这样处分应该足以阻却不法意图。然而从中兴通讯案来看,也许没有什么事是不可能的!

现为DIGITIMES顾问,1988年获物理学博士学位,任教于中央大学,后转往科技产业发展。曾任茂德科技董事及副总、普天茂德科技总经理、康帝科技总经理等职位。曾于 Taiwan Semicon 任咨询委员,主持黄光论坛。2001~2002 获选为台湾半导体产业协会监事、监事长。现在于台大物理系访问研究,主要研究领域为自旋电子学相关物质及机制的基础研究。