2008年NAND Flash产业,除在制程技术将有更进一步突破,从50納米转进40納米外,并开发下時代新技术x3 (3-bit-per-cell),各大厂产能亦持续开出。
虽NAND Flash价格延续2007年下半走跌态势,导致各厂获利不见起色,然也加速其于各式IT与消费性电子产品应用的普及,继而引发对NAND Flash芯片的需求,带动NAND Flash产业发展。
面对价格竞争日趋激烈但长期仍稳定成长的NAND Flash产业,三星(Samsung)、东芝(Toshiba)与海力士3大NAND Flash芯片业者,皆已拟定2008年甚至是未来3至5年的NAND Flash业务拓展策略,范围涵盖技术、产能、产品应用与策略联盟,盼随NAND Flash应用日渐普及,加速相