中文繁體版   English   星期二 ,9月 26日, 2017 (台北)
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产品/技术

AI热潮为高带宽存储器带来新机遇 立体封装成本及互连技术成竞争关键

2017年UFS渐成高阶手机用NAND Flash主流规格 2018年向中低阶市场扩散

3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题

原子层沉积适用于多层3D NAND Flash 然制程时间与成本增加为新课题

3D NAND Flash层数增加 于薄膜蒸镀制程面临生产效能与沉积层弯曲课题

Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力 然良率与成本问题待解决

高集成与高效能兼顾 先进封装技术将朝WLSiP发展

传统材料Bulk Si技术近极限 功率半导体大厂加速投入GaN、SiC开发

手机链考量?技术分水岭抉择? 大陆半导体产业发展FD-SOI制程

系统级封装结合内嵌式PCB存在供应链问题 扇出型晶圆级封装将成先进封装技术发展要点

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研究项目

Slide Show─
为投影片搭配仔细解说的服务模式,提供具时效性的ICT产品产销、展场观察等研究成果,同时可直接作为会员简报材料。
Insight─
为深入研究观点与发现的实时服务,内容包括重要事件评论、重要产业信息的揭露等。
Data Point─
以1个图表搭配简洁文字说明,提供图文并茂的资料库服务。