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产品/技术

因应高效能与实时上市要求 CoWoS与SiP将成人工智能重要封装技术

2017年为4位元3D NAND Flash技术元年 耐久度与传速等课题待克服

双次堆叠技术有助提升3D NAND Flash良率 业者考量成本 各有不同规画

MEMS麦克风于性能提升采下声孔封装相对有利 上声孔方式亦持续改良

AI热潮为高带宽存储器带来新机遇 立体封装成本及互连技术成竞争关键

2017年UFS渐成高阶手机用NAND Flash主流规格 2018年向中低阶市场扩散

3D NAND延续摩尔定律 电容耦合效应及可靠度仍为技术发展关键课题

原子层沉积适用于多层3D NAND Flash 然制程时间与成本增加为新课题

3D NAND Flash层数增加 于薄膜蒸镀制程面临生产效能与沉积层弯曲课题

Cell on Peri构造有利IDM提升3D NAND Flash竞争力 然良率与成本问题待解决

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研究项目

Slide Show─
为投影片搭配仔细解说的服务模式,提供具时效性的ICT产品产销、展场观察等研究成果,同时可直接作为会员简报材料。
Insight─
为深入研究观点与发现的实时服务,内容包括重要事件评论、重要产业信息的揭露等。
Data Point─
以1个图表搭配简洁文字说明,提供图文并茂的资料库服务。