NAND迈入300层时代 三星、SK海力士为压成本缩减HARC制程随著3D NAND Flash堆叠层数突破300层,高深宽比连接导线(High Aspect Ratio Contact;HARC)蚀刻制程的次数、成本也愈滚愈大。为解决此痛点,三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK
NVIDIA传HBM4采分级供应 三星有望独拿高端GPU订单在NVIDIA次時代GPU Vera Rubin发布前夕,有消息指出,其将依照产品性能区分高帶寬存儲器(HBM)供应来源。据分析,三星电子(Samsung Electronics)有望独家供应最高端产品所搭载的第六代HBM4。据韩媒Chosun