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AI「存儲器墙」瓶颈跳战 应材推新设备攻HBM、3D封装商机

AI模型持续扩大,带动运算与數據传输需求急遽攀升,但存儲器帶寬、容量与能源效率提升速度逐渐追不上AI芯片演进,「存儲器墙」(Memory Wall)已成为限制AI效能的重要瓶颈,也促使高帶寬存儲器(HBM)、小晶...
最新报导
国巨传7月全面调涨电容产品 对象首纳EMS、OEM直接客户 供应链传出,被动元件大厂国巨将自7月1日起全面调涨电容价格,涵盖钽电容、积层陶瓷电容(MLCC)、薄膜电容、铝质电解电容、固态电容等产品线,平均涨幅落在10~20%不等,且涨价对象首次纳入直接客户,包括
超微首推MoP架构 因应HBM供应吃紧、板卡缩小60% 为解决DRAM短缺及高帶寬存儲器(HBM)产品价格节节飙升问题,超微(AMD)将推出首款采用封装内存儲器(MoP)的解决方案Versal Premium Gen 2 MoP。在SoC封装内最多可搭载4颗 LPDDR5X存儲器,提供
Terafab延揽英特尔老将 加速晶圆厂建置与量产布局 由Elon Musk主导的半导体制造项目Terafab迎来重要人事布局,最新延揽拥有英特尔(Intel)晶圆制造18年经历的Gary Jiang,出任Terafab晶圆代工主管,加速推进这项瞄准人工智能(AI)、机器人与太空运算芯片需
三星全永铉:光州2座晶圆厂要落地 需扩建核电 有观点指出,若要确保韓國目前大力推进的湖南地区(主要涵盖光州广域市与全罗南北道)超大型半导体聚落稳定运作,扩建核能发电势在必行。值得注意的是,三星电子(Samsung Electronics)半导体暨装置解决方案
传NVIDIA调整Rubin Ultra先进封装 4芯片架构面临大改 据SemiAnalysis近期报导,NVIDIA原计划于2027年推出搭载4颗运算小芯片(compute chiplets)的Rubin Ultra AI加速器。然而,由于针对此类方案的可制造性存有疑虑,NVIDIA决定取消该设计,改为开发更易于
中国半导体材料厂加速扩产 挑战日本长年主导地位 中国半导体材料制造商正加速提升先进产品的产能,力图在中国推动半导体自给自足政策之际,追赶长期称霸市场的日本业者。日经新闻(Nikkei)报导,玻纤布原本是日厂日东纺(Nittobo)握有市占首位,几乎独霸市场
美光CEO揭存儲器缺货根源 直言过度杀价重创产业投资能力 美光(Micron)CEOSanjay Mehrotra表示,多年来激进的定价压力导致存儲器产业在人工智能(AI)需求激增之前严重投资不足,造成如今芯片市场的供应短缺。Mehrotra指出,存儲器芯片制造商并非造成当前供需失
苹果iPhone 18 Pro传采双基帶芯片 高通与自研C2分区登场 苹果(Apple)传自研基帶芯片布局可能采渐进式策略,即将发表的iPhone 18 Pro、Pro Max将不会全面采用自研C2 5G基帶芯片,而是依销售市场区分配置。综合Apple Insider、Wccftech等报导,因日前印度塔塔电
存儲器三雄陷反垄断风波 三星直言指控毫无根据、SK海力士称仔细审查后因应 日前传出,美国部分消费者与企业对三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)等全球存儲器三大厂提起反垄断集体诉讼,遭指控3家公司借由扩大AI用高帶寬存儲器(HBM)生产
Meta回收DDR4打造1TB服務器 CXL自研芯片重塑AI时代存儲器成本 鉴于人工智能(AI)數據中心快速扩张推升DDR5价格飙涨与供应吃紧,Meta Platforms开始采用「旧存儲器、新架构」策略,透过自研CXL存儲器扩充芯片Vistara,将退役服務器回收的DDR4模塊重新部署至新一代伺
中系功率半导体续吃紧 IDM士兰微、芯联整合代工宣布涨价 继中国功率元件业者扬杰科技宣布本年度二度调涨产品价格后,中国整合元件厂(IDM)杭州士兰微电子(简称士兰微)亦跟进宣布,自2026年7月1日起,旗下各产品线价格全面调整,调幅15%起。士兰微表示,此次价格调
Tenstorrent否认高通购并谈判 在日本推出NVIDIA效能3倍服務器 美国AI芯片新创Tenstorrent于6月30日,由CEOJim Keller领军,于日本东京举办活动。Jim Keller否认美国媒体报导的高通(Qualcomm)正洽谈购并Tenstorrent的消息,并强调进军日本市场的AI服務器业务,推出
存儲器涨价恐见顶 萬億易创新示警产品价已处于历史高位 在全球存儲器产业仍普遍看好AI带动供需吃紧、涨价循环可望延续之际,中国NOR Flash大厂萬億易创新(GigaDevice)却发布风险提示公告,指出目前储存产品价格已处历史高位,未来价格不排除出现「相当幅度回落」
英特尔扩建硅谷基地 18A-P、14A制程与美国制造同步加速 美国芯片大厂英特尔(Intel)持续加码美国本土半导体制造布局,旗下晶圆代工事业Intel Foundry Services(IFS)日前于美国加州圣塔克拉拉(Santa Clara)的Bowers Campus举行扩厂动土典礼,由CEO陈立武
SK海力士长约藏王牌? 传唯一不设价格上限、可望吃满涨价红利 有消息称,SK海力士(SK Hynix)近期与客户签下的长期供应合约(LTA)与竞争对手不同,采用的是不设价格上限(Ceiling Price)的独特合约架构。市场因此看好,SK海力士可望较竞争对手更加完整地享受未来记
每日椽真:灵巧手价格1年跌近5成 | 韩国全罗道半导体聚落投资惹议 | 昆仑芯赴港IPO揭AI芯片募资新玩法 臺湾规划2028年推动ETS(Emissions Trading System;总量管制与排放交易),但环团和学者认为,根据日韩和欧盟(EU)经验,ETS价格波动较大,需要比较长的学习曲线,加上臺湾碳费刚开始实施,政府应该考虑政策延续性,给予企业时间去内化和执行碳定价策略。存儲器荣景持续升温带动,三星电子(Samsung
「涨价次数」更甚晶圆代工厂 AI、矽光子、成熟芯片封测订单直通2027 云端AI需求正改写半导体产业淡旺季规律,包括位处后段制程的封装及测试产能,自2025年底以来陆续吃紧,2026年迄今,新扩产能也迅速被填满,更引发多家IC设计客户积极锁定产能,推升订单能见度直通2027年后。值
美超微狂出包、走私中国频传 NVIDIA出货设14道关卡严审 美国收紧高端AI芯片出口管制,AI服務器供应链的合规要求也同步升级。尽管如此,中国阿里巴巴、腾讯等对于AI服務器需求强劲,在全球多国洒钱「加价购」,不少业者不敌诱惑,铤而走险进行走私,其中,美超微
云端AI挤压2納米产能版图 联发科、高通更多手机SoC让位? 手机系统单芯片(SoC)业者集体在2026年将旗舰平臺的制程向上升级至2納米。除了规格升级的需求,更多的还是企图避开需求最强劲的3納米制程,确保更多的产能供应。然而,观察目前各家云端AI芯片大厂的产品进度,2027年起几乎全部新产品皆加速往2納米节点升级,3納米的拥挤情况也很快将向上蔓延,意味著2027、2028年的产能卡
国巨陈泰铭接掌茂达董事长 集团整合再拥半导体话语权 国巨确定入股臺系电源管理IC(PMIC)业者茂达后,外界开始专注国巨后续是否会进一步参与茂达营运,并将其视为整体集团策略的一份子。先前茂达对于相关问题表示,根据两家公司目前取得的共识,国巨是看好茂达的经营绩效,也希望能在半导体产业有所触及,打算利用自身代理协助将产品推向国际市场,才会希望入股,并无介入公司营运的想法。不过
HBM与DRAM双引擎全开 三星3Q26营益估破100萬億韩元 存儲器荣景持续升温带动,三星电子(Samsung
AI重燃NAND堆叠战 三星拟以「千层蓝图」抢回技术主导权 三星电子(Samsung Electronics)试图在NAND Flash堆叠竞赛重新拉开技术差距,市场消息指出,三星半导体暨装置解决方案(Device Solutions;DS)部门负责人、代表理事副会长全永铉,传规划下一阶段NAND技术蓝图,目标2027年进入400层级3D
Musk质疑IBM 0.7納米芯片命名误导 多年納米节点命名体系掀议 当芯片制程步入2納米节点后,传统制程的微缩之路似乎已触碰物理天花板。IBM于2026年6月25日宣布一项突破,声称推出全球第一个0.7納米芯片,可说是人类首次将接近1,000亿个晶體管整合于指甲大小的芯片中。这一消息随后引发正反不同意见,有观点认为,这并非真正的物理尺吋突破,而是一场精心包装的「数字游戏」,甚至直言「0.
苹果传携英特尔分散供应链风险 量产时程恐仍有2年差距 先前传苹果(Apple)评估委托英特尔(Intel)代工部分自研芯片,AI芯片排挤先进制程产能之际分散供应链风险。但双方最终即使合作,从芯片设计、验证到量产仍需要2
GaAs和InP涨声再响 臺供应链下半年产能仍受料源管制牵动 全球原物料成本持续攀升、供应链短缺和通膨压力的影响下,继2026年4月调涨价格后,化合物半导体磊晶厂全新6月起再度针对砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等磊晶晶圆产品调涨价格。中国自2023年起陆续对镓、锗等战略性金属启动出口管制,并于2025年2月开始针对InP基板管制出口,造成美系大厂AXT无法从中国生产基地出口。由
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